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■■■■■■■■■■■■■■■■■■■ 川崎製鉄技報 KAWASAKI STEEL GIHO Vol.26 (1994) No.2 ■■■■■■■■■■■■■■■■■■■ |
| 大粒径ポリシリコンゲートを用いたp(+) pMOSデバイスにおけるゲート酸化膜の信頼性向上
Improve Gate Oxide Integrity in p(+) pMOS Devices by Using Large Grain Polysilicon Gate 小田 宗隆(Munetaka Koda) 川口 淳一(Junichi Kawaguchi) 志田 吉克(Yoshikatsu Shida) |
| 要旨 : P(+)ポリシリコンゲートpMOSデバイスのゲート酸化膜絶縁耐圧特性に及ぼすポリシリコン結晶粒径の影響を調べた。従来の直径0.05μmの場合，ゲート酸化膜の初期絶縁耐圧歩留りと定電流TDDB(time dependent dielectric breakdown)特性が低下した。しかし，直径1.0μmの結晶粒径を持つ大粒径ポリシリコンを用いることにより，ゲート酸化膜絶縁耐圧特性が改善されることが分かった。さらに，大粒径ポリシリコンはBF2イオン注入によりゲート電極に導入されたF原子のゲート酸化膜への拡散とF原子によるゲート酸化膜の容量低下を抑正した。 |
| Synopsis : The effect of a polysilicon grain size on gate oxide integrity in BF2+ implanted polysilicon gate pMOS devices was investigated by measuring the electrical characteristics of a MOS capacitor. Gate oxide integrity deteriorated when effective in solving this problem of gate oxide quality. Additionally, the use of large grain polysilicon greatly reduce boron diffusion through the gate oxide into the channel region and decreases in gate oxide capacitance. |
| 本文（PDF: 5P/213kb） |