Cs補正STEM,ULV-SEM,FE-EPMAを用いた高機能性材料の界面構造解析

JFE技報 ONLINE ISSN 2185-4327 / PRINT ISSN 1348-0669

No.37 2016年2月 分析・解析特集号

Cs補正STEM,ULV-SEM,FE-EPMAを用いた高機能性材料の界面構造解析
Micro Beam Analysis of Interface in Advanced Material Using Cs-Corrected STEM, ULV-SEM, and FE-EPMA

猪瀬  明 INOSE Akira JEEテクノリサーチ ソリューション本部(川崎)ナノ材料評価センター主査(課長)
北原 保子 KITAHARA Yasuko JEEテクノリサーチ ソリューション本部(川崎)ナノ材料評価センター主査(副部長)
池本  祥 IKEMOTO Sachi JEEテクノリサーチ ソリューション本部(川崎)ナノ材料評価センター主査(係長)
橋本  哲 HASHIMOTO Satoshi JEEテクノリサーチ 営業本部兼ソリューション本部(川崎)主査(部長)・博士(工学)

要旨

各種高機能材料の物性は表面・界面構造などのナノメートルスケール構造に由来するものの,マクロな平均構造も制御されている。構造解析技術としても,ナノメートルスケールの微細構造からマクロな平均構造を評価することが要求される。JFEテクノリサーチで行なってきたこのような構造解析の例として,球面収差補正走査透過電子顕微鏡(Cs補正STEM),極低加速電圧走査電子顕微鏡(ULV-SEM),電界放出型電子線マイクロアナリシス(FE-EPMA)を用いたネオジム磁石の粒界構造,電子材料の多層薄膜界面,貴金属微粒子触媒の構造解析結果を示す。

Abstract

Characteristic properties in advance materials originate from interface or surface nanoscopic structures, and macroscopic structures are also controlled for their stable production. Various micro-beam analysis techniques, which cover from the atomic scale to the macroscopic scale, are required for detailed studies. Such analyses using spherical aberration corrected scanning transmission electron microscope (Cs-corrected STEM), ultra-low voltage scanning electron microscope (ULV-SEM), and field emission-electron probe micro-analyser (FE-EPMA) are applied to characterize neodymium magnets, electronic materials such as power devises, and noble metal fine particle catalysts.

本文

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