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■■■■■■■■■■■■■■■■■■■ 川崎製鉄技報 KAWASAKI STEEL GIHO Vol.26 (1994) No.2 ■■■■■■■■■■■■■■■■■■■ |
| エタノール前処理O3-TEOS-CVDを用いた0.35μm対応良質絶縁膜形成技術
High Quality Dielectric Film for 0.35-μm
Design Rule Application by O3-TEOS-CVD Using
Ethanol Pretreatment 佐藤 伸良(Nobuyoshi Sato) 中野 正(Tadashi Nakano) 太田 与洋(Tomohiro Ohta) |
| 要旨 : テトラエチルオルソシリケート(TEOS)とオゾンを原料ガスに用いたシリコン酸化膜の常圧化学気相成長法(APCVD)において，シリコン酸化膜形成前に新しい下地基板処理を加えることにより，段差のある下地の上にシリコン酸化膜を埋込性よく，なめらかに形成するプロセス技術を開発した。新シリコン酸化膜平坦化法は，シリコン酸化膜成膜前の下地基板に，エタノールをスピンコート法により塗布する方法である｡この下地基板処理法により，従来の下地処理法では不可能な0.3μm幅で，12μm深さの溝にシリコン酸化膜を埋込み，かつ上面は平坦な膜を形成することを見い出した。 |
| Synopsis : A new surface treatment, involving the spin coating of ethanol on a substrate prior to O3-tetraethylorthosilicate (TEOS) deposition by atmospheric pressure chemical vapor deposition (APCVD), was found to be very effective for improving gap-filling properties and film quality. The deposited film has a flow-like surface shape, and can be used to fill trenches of 0.3-μm width and 1.2μm depth which could not be filled by conventional O3-TEOS APCVD. The effects of surface treating by some other organic solvents are also reported and a possible mechanism is presented. |
| 本文（PDF: 5P/256kb） |