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■■■■■■■■■■■■■■■■■■■ 川崎製鉄技報 KAWASAKI STEEL GIHO Vol.21 (1989) No.4 ■■■■■■■■■■■■■■■■■■■ |
| ＬＳＩ技術の研究開発動向 Research and Development Trends in LSI Technology 外山 正春(Masaharu Toyama) |
| 要旨 : ISSCC（国際固体回路会議），IEDM（国際電子デバイス会議）およびCICC（カスタムIC会議）における最近の発表論文から，LSIの研究開発動向を概説した。最先端は16MDRAMである。設計基準は0.6〜0.5μ集積度は3000万を越え，ULSIの時代に入った。3.3Ｖ電源が採用されている。マイクロプロセサは64ビットが発表され，処理能力もRISC方式で20〜50MIPSとなっている。ゲートアレイは使用可能ゲート数が100Ｋを越え，一方ユーザがカスタム化できるPLDも９Ｋに達し，新しいジャンルを開きつつある。CMOSが中心であるが駆動能力を補う意味で，BiCMOSがいろいろな分野で試みられ出した。微細加工技術は0.5μでも光ステッパで，ｇ線がどこまで使えるかが今後の焦点である。 |
| Synopsis : Recent trends in LSI research and development have reviewed the basis of papers presented at International Solid-State Circuits Conference (ISSCC), International Electron Devices Meeting (IEDM) and Custom Integrated Circuits Conference (CICC). The most-advanced LSI devices reported are 16M DRAMs with 0.6 to 0.5 micron design rules. The number of circuit elements exceeds 30 millions, inaugurating the ULSI era. New JEDEC standard 3.3-V power supply has been employed. Microprocessors are going into 64 bits with 20 to 50 MIPS by RISC architecture. Gate arrays become larger and larger beyond 100 KG in scale. New species, user programmable logic devices, have exceeded 9 K in the usable gate count and a new market segment is now developing. While CMOS prevails, BiCMOS is gradually examined various LSI devices, for supplementing CMOS's low drivability. Photosteppers are still used for the 0.5- micron design rule and the limitation of g-line will become a controversial issue in the coming age. |
| 本文（PDF: 7P/393kb） |