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■■■■■■■■■■■■■■■■■■■ 川崎製鉄技報 KAWASAKI STEEL GIHO Vol.21 (1989) No.4 ■■■■■■■■■■■■■■■■■■■ |
| 高熱伝導性ＡＩＮ基板の開発 Development of AIN Substrate with High Thermal Conductivity 横井 誠(Makoto Yokoi) 金丸 孝男(Takao Kanemaru) 熊谷 正人(Masato Kumagai) 中野 正(Tadashi Nakano) 船橋 敏彦(Toshihiko Funahashi) 吉井 裕(Yutaka Yoshii) |
| 要旨 : 次世代のIC基板として期待されるAIN焼結体を製造する技術を開発した。AINのメタライズ技術，応用についても検討した。開発したAIN焼結体は，高純度，特に低０で微細なAIN粉を用い，基板製造過程でこれら不純物をさらに低減し，粉成長を促進させ，気孔を完全に除去することにより180W/m・K以上の高熱伝導率を安定して確保できる。有機結合剤，成形，脱脂，焼成法の開発により量産性の高い基板製造が可能となった。開発したAIN基板はその高熱伝導性，Siに近い熱膨張性という特長を生かして，半導体素子の高集積化，高出力化，大型化に対応できる。AINのメタライズ技術も実用化レベルに近づいており，今後の用途拡大が期待できる。 |
| Synopsis : Aluminum nitride (AIN), an attractive candidate for the high performance substrate of the next generation, has been developed, and metallization techniques have also been advanced. High thermal conductivity AIN substrate with more than 180 W/m･K has successfully been obtained by using high purity, especially low oxygen content AIN powder, and by decreasing impurities, attaining grain growth and elimination pores completely in the sintered body. Development of an excellent organic binder, tape casting, binder burn-out the sintering process has resulted in the highly efficient manufacture of the AIN substrate. AIN is a suitable substrate for mounting highly integrated, high power and large-sized semiconductor devices. With the above mentioned development of the manufacturing process and metallization techniques, large-scale practical application of the AIN substrate have been expected. |
| 本文（PDF: 7P/414kb） |